“你也有过这样的想法？”
肖克利问道。
“我一直想尝试用矽来取代传统的锗材料，只是一直没想到一个很好的晶T管技术思路，这个双扩散型晶T管，样式上就和方兴的设计有些相似，而且这种晶T管，我觉得可能会更加稳定，更加具有可靠X，不会出现三维晶T管的很多问题。”诺伊斯说道。
“你这是在质疑我的三维晶T管设计吗？就算能设计出更好的晶T管，但哪又如何？这样只在材料上取巧的技术，又能带来怎样的进步呢？我估计越是小型化的晶T管，价格与成本可能会越来越贵，每一个元件都很昂贵，制作出来也不一定能做到带来多大的革新，所以这样的晶T管根本就无法推广开来，我更觉得他的这种设计，对於科幻动画来说那绝对是超出人们想象的，是会引起无数人的兴趣，但科幻毕竟是幻想，有些东西无法拿到现实中来，起码我觉得在未来十年之内是无法现实的！”
肖克利虽然对方兴大加赞赏，但话里话外还是对矽晶T管表示质疑，认为这种技术绝对不会在十年之内出现。
这就是肖克利失败的原因了，就在1958年，矽晶T管开始大面积普及，在如此明显的大势下他依旧固守着自己的三极晶T管，不肯转型，结果只用了一年的时间市场就被蚕食殆尽，那时才想到了转型，可是已经为时过完，短短两年时间就跌入了谷地，从此就再也没有跳出来。
为了理解肖克利那种晶T管的工作原理，可以把它左右分开，看成两个并联在一起的单向导电的二极管。
在中间是一层半导T锗，它具有负电荷载流子。
下面是金属铜形成的导电基底。
最上层是有金箔层。
当金箔接触到半导T锗表面的时候，就会形成带有正电荷载流子的半导T。
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