“准分子激光做为光源？真是厉害，这种激光技术在我们只是在课本上听说过，当时英国似乎正在进行研究，现在美国人都应用到了生产之中了，佩服，佩服！”周明连连感叹。
“现在的光刻技术分成几个步骤，首先是气相成底膜，就是矽片在清洗、烘培後首先通过浸泡、喷雾或化学气相沈积等工艺。”
“然後是旋转涂胶，是形成底膜後，要在矽片表面均匀覆盖光刻胶，此时矽片被放置在真空x1盘上，x1盘底部与转动电机相连，当矽片静止或旋转的非常缓慢时，光刻胶被分滴在矽片上，随後加速矽片旋转到一定的转速，光刻胶借助离心作用伸展到整个矽片表面，并持续旋转甩去多余的光刻胶，在矽片上得到均匀的光刻胶胶膜覆盖层，旋转一直到溶剂挥发，光刻胶膜几乎g燥後停止。”
“然後是软烘，是涂完光刻胶後，需对矽片进行软烘，除去光刻胶中残余的溶剂，提高光刻胶的粘附X和均匀X。”
“未经软烘的光刻胶易发粘并受颗粒W染，粘附力会不足，还会因溶剂含量过高导致显影时存在溶解差异，难以区分曝光和未曝光的光刻胶。”
“还有曝光，这个过程是在矽片表面和石英掩模对准并聚焦後，使用紫外光照S，未受掩模遮挡部分的光刻胶发生曝光反应，实现电路图从掩模到矽片上的转移。”
“显影，是使用化学显影Ye溶解由曝光造成的光刻胶可溶解区域，使可见图形出现在矽片上，并区分需要刻蚀的区域和受光刻胶保护的区域。”
“显影完成後通过旋转甩掉多余显影Ye，并用高纯水清洗後甩g。”
“坚膜，显影後的热烘叫做坚膜烘培，温度b软烘更高，目的是蒸发掉剩余的溶剂使光刻胶变y，提高光刻胶对矽片表面的粘附X，这一步对光刻胶的稳固，对後续的刻蚀等过程非常关键。”
“坚模之後就是刻蚀了，这项工艺非常重要，是通过化学或物理的方法有选择地从矽片表面除去不需要材料的过程，通过刻蚀能在矽片上构建预想的电子器件。”
“最後就是去胶，是刻蚀完成後，通过特定溶剂，洗去矽片表面残余的光刻胶，此时一个小小的芯片基本就完成了！”
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